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安森美半导体推出首批具有近红外+（NIR +）的高分辨率图像传感器，以提升夜视功能

2018-04-11

中国电源产业网

导语：

推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON) 推出首批采用近红外+（NIR +）技术的CMOS图像传感器，该技术有效地将高动态范围（HDR）与增强的微光性能相结合，以使能高端安防与监控相机。

AR0522是一款1/2.5英寸510万像素（MP）图像传感器，基于一个2.2微米（um）背照式（BSI）像素技术平台，专为在微光条件下需要高分辨率、高质量视频捕获的工业应用而开发。AR0522图像传感器提供的近红外波长的灵敏度大概是现有的AR0521图像传感器的两倍。

AR0431是一款1/3.2英寸400万像素传感器，基于一个2.0 um 背照式像素技术平台。它能够提供通用的低能耗模式和一个高达120fps的帧速率，非常适合需要慢速运动视频捕获的应用。它的低运作能耗使其成为电池供电的安防相机、动作/运动相机、车载DVR和一般监控相机的理想选择。

安森美半导体开发NIR +技术，以提高近红外区域内传感器的量子效率（QE），而无需牺牲可见光谱中的色彩保真度。通过这一技术，安防相机可在更低的电压下，在物料单（BOM）上使用更少的红外（IR） LED，且仍能在微光和近红外条件下实现高质量图像。

安森美半导体图像传感器消费方案分部副总裁兼总经理Gianluca Colli表示：“AR0522和AR0431所采用的NIR +技术和背照式像素平台真正实现了卓越的图像质量和微光性能，即使在极具挑战的光照条件下也能获得更明亮、更清晰的图像。”

供货

安森美半导体现提供AR0522工程样品，采用12mm x 12mm mPLCC封装，计划于2018年5月量产。

AR0431的工程样品将于2018年4月推出，采用10mm x 10mm mPLCC封装，计划于2018年7月量产。

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