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大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET，可为系统实现功率密度和性能上的突破

2018-04-11

中国电源产业网

导语：

2018年4月10日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

大联大品佳代理的英飞凌的这款SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。还能带来诸多益处，如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量，便于打造更小、更轻的系统，从而减少运输工作量，并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。

这款全新的MOSFET融汇了Infineon在SiC领域多年的开发经验，基于先进的沟槽半导体工艺，代表着Infineon CoolSiC产品家族的最新发展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）额定值为45mΩ。它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装，4引脚封装有一个额外的源极连接端子（Kelvin），作为门极驱动的信号管脚，以消除由于源极电感引起的压降的影响，这可以进一步降低开关损耗，特别是在更高开关频率时。

另外，大联大品佳代理的Infineon还推出基于SiC MOSFET技术的1200V‘Easy1B’半桥和升压模块。这些模块采用PressFIT连接，有良好的热界面、低杂散电感和坚固的设计，每种封装的模块均有11mΩ和23mΩ的RDS（ON）额定值选项。

特色

Infineon的CoolSiC™ MOSFET采用沟槽栅技术，兼具可靠性与性能优势，在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。该MOSFET完全兼容通常用于驱动IGBT的+15 V/-5V电压。它们将4V基准阈值额定电压（Vth）与目标应用要求的短路鲁棒性和完全可控的dv/dt特性结合起来。与Si IGBT相比的关键优势包括：低温度系数的开关损耗和无阈值电压的静态特性。

这些晶体管能像IGBT一样得到控制，在发生故障时得以安全关闭，此外，Infineon碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度，因此可以轻松优化EMC性能。

应用

当前针对光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。

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