安森美与GlobalFoundries合作开发200毫米eMode GaN平台-中电源产业网-新能源与电源官方网站

安森美与GlobalFoundries合作开发200毫米eMode GaN平台

2026-01-15

中国电源产业网

导语：美国亚利桑那州Scottsdale的智能功率与传感技术公司安森美（Onsemi）与纽约州Malta的GlobalFoundries（GF，美国唯一一家拥有全球制造布局的半导体代工厂，包括美国、欧洲和新加坡）签署合作协议，利用GF的200mm eMode 氮化镓硅工艺开发和制造关键市场的氮化镓（GaN）功率产品，起始电压是650V。

美国亚利桑那州Scottsdale的智能功率与传感技术公司安森美（Onsemi）与纽约州Malta的GlobalFoundries（GF，美国唯一一家拥有全球制造布局的半导体代工厂，包括美国、欧洲和新加坡）签署合作协议，利用GF的200mm eMode 氮化镓硅工艺开发和制造关键市场的氮化镓（GaN）功率产品，起始电压是650V。

此次合作加速了安森美高性能氮化镓器件和集成功率级的发展路线图，扩展其高压产品组合，该路线图的目标包括人工智能基础设施的电源和直流变流器、电动汽车的车载充电器和直流变流转换器、太阳能微逆变器和储能系统，以及电机驱动和其它高速增长的工业和关键任务市场。通过结合器件技术与封装集成，该公司旨在提高功率密度、提升效率并简化系统设计。

“此次合作将安森美的系统和产品专长与GlobalFoundries先进的氮化镓工艺相结合，为高速增长市场交付新的650V功率器件。配合我们的驱动和控制器，这些GaN产品将使客户能够创新并构建更小型、更高效的电力系统，应用于AI数据中心、电动汽车、航天应用等领域，”安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示：“我们计划在2026年上半年开始向客户提供样品，并迅速实现批量生产。”

GlobalFoundries首席商务官Mike Hogan表示：“通过结合我们的200毫米GaN-on-Si平台和美国制造，以及安森美深厚的系统和产品专业知识，我们正在加速高效解决方案，并为数据中心、汽车、工业、航空航天与国防及其它关键市场构建有韧性的供应链。以安森美为关键合作伙伴，我们将继续推进满足人工智能、电气化和可持续能源不断变化需求的氮化镓半导体。”

安森美将将其硅芯片驱动器、控制器和热增强封装与GF的650V GaN技术平台结合，提供更高功率密度和效率的优化GaN器件。这一举措扩展了安森美的功率半导体产品线，涵盖了从低、中、高压横向氮化镓到超高压垂直氮化镓的全谱系氮化镓产品，使系统设计师能够构建下一代功率架构，在更小的占地面积内提供更多功率。这些氮化镓的优势包括：

● 高频工作

——通过在更高的开关频率下工作，GaN使设计者能够减少元件数量、系统尺寸和成本，同时提升效率和热性能。

● 双向能力

——双向氮化镓（GaN）能力使全新的拓扑结构能够取代多达四个传统的单向晶体管，降低成本并简化设计。

● 集成功能

——将氮化镓场效应管（GaN FET）与驱动器、控制器、隔离和保护集成于一体封装中，可实现更快的设计周期和更低的电磁干扰。增强封装热能力和优化的门驱动器即使在高速开关下也提升了性能和可靠性。（来源：星辰工业电子简讯）

编辑：中国电源产业网

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